内存延迟是指等待对系统内存中存储数据的访问完成时引起的延期。根本问题在于处理器 (如英特尔®至强TM处理器) 的主频接近4 GHz， 而内存芯片速率仅为400 MHz (如DDR 3200内存) —时钟速度之比为10:1。因此，当处理器需要处于内存高速缓存之外的数据项时，每个周期必须等待10个时钟周期才能使内存芯片完成数据的提取和发送。通常，这些提取需要检索多个内存周期，然后需要更长时间通过到处理器的路径。这就意味着提取数据会占用数百个处理器时钟周期，在此期间应用不能处理其它任何任务。

ldquo;3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。但也并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。

　　第一个数字最为重要，表示注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟(CAS Latency)，即CL值，单位是时钟周期。这是纵向地址脉冲的反应时间。

　　第二个数字表示 内存行地址控制器预充电时间(RAS Precharge)，即tRP。指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。

　　第三个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间(RAS to CAS Delay)，即tRCD。

　　第四个数字表示内存行地址控制器激活时间Act-to-Precharge Precharge Delay(tRAS)。

　　选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。