时间:2021-05-25
动态随机存储器(DRAM)的单元由一个金属-氧化物-半导体(MOS)电容和一个MOS晶体管构成,数据以电荷形式存放在电容之中,需每隔2~4毫秒对单元电路存储信息重写一次(刷新)。DRAM存储单元器件数量少,集成度高,应用广泛。
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