我们介绍了3D-NAND闪存引入的背景，应该可以大致了解三星V-NAND结构的含义。本篇文章，我们就继续来详细的了解一下V-NAND的内容。先通过具体参数的对比，感受一下V-NAND的优势：

　　从上表中，我们可以看到，与2D平面闪存相比，V-NAND垂直结构的闪存优势很显著，主要集中在两点：

　　1. 容量增加：每个储存块(block)中的页数增加2倍，每个储存块(block)中可以包含的字节数，由1024K Bytes增加到了3*1024K Bytes. 字节数的增加，代表中储存容量的增大;

　　2. 性能提升：V-NAND的每个页的写入时间为0.6ms，而平面NAND中的页写入时间是2ms, V-NAND足足快了1.4ms, 时间就是生命呀。针对随机读方面，V-NAND和平面NAND只相差3us, 处于同一水平。在储存块(block)擦除方面，V-NAND比平面NAND快了1ms.

　　上篇文章中，我们提到了在2D平面NAND中，随着制程进入20nm以下，不一样储存单元cell之间的相互相扰效应越来越严重，为了减少干扰效应，三星在V-NAND中引入了电荷陷阱(Charge Trap Flash, CTF)的概念，目的就是尽可能的消除储存单元之间的干扰。

　　从上面的示意图中，我们可以了解到：

　　在水平方向，也即bit line方向，不一样储存单元cell之间相距较远并且有绝缘层阻隔，可以说在水平方向，不一样储存单元cell之间的干扰基本不存在。

　　在垂直方向，不一样cell之间的距离达到40nm, 比平面NAND的十几nm要大很多，所以，在垂直方向，不一样储存单元cell之间的干扰很小。

　　在2D平面NAND中，储存单元cell采用的是浮栅结构，如下图左，电荷存在浮栅导体中。而在三星V-NAND中，储存单元采用的是CTF结构，电荷储存在绝缘体中，如下图右。与浮栅结构相比，CTF结构由于电荷储存在绝缘体中，电荷更不容易跑出去，所以，在某种程度上，可以说采用CTF结构的NAND闪存比采用浮栅结构的NAND闪存更加可靠。

　　这里还要提一下，在当下3D NAND技术中，英特尔(Intel)和美光(Micron)发布的3D NAND依旧采用的浮栅结构，这里不是要对比Intel/Micron和三星3D NAND优劣，我们只是从技术角度分析哦。Intel/Micron的3D NAND有自己的优化措施，还是值得信赖的。

　　我们刚才提到的不一样储存单元之间的干扰效应，在这里我们看一副对比图：

　　从上图中，我们看到，与平面NAND闪存相比，V-NAND储存单元cell的分布区间变窄了33%，变窄的好处就是减少了读写的错误几率，让cell更加可靠。另外，V-NAND的储存单元cell之间的干扰下降了84%，同样，不一样储存单元cell之间的干扰减少，也可以很大程度上提升NAND的可靠性。

　　感兴趣并且预算允许的同学，可以买个三星V-NAND固态硬盘玩玩，你会很惊艳的!