DDR2与DDR的分别

　　1、速率与预取量

　　DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。

　　2、封装与电压

　　DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA;

　　DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。

　　3、bit pre-fetch

　　DDR为2bit pre-fetch，DDR2为4bit pre-fetch。

　　4、新技术的引进

　　DDR2引入了OCD、ODT和POST

　　(1)ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射;

　　(2)Post CAS：它是为了提升DDR2内存的利用效率而设定的;

　　在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当运用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提升。

　　(3)OCD(Off-Chip Driver)：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提升信号的完整性

　　OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的偏差降低到最小。调校期间，分别测验DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测验合格才退出OCD操作。

　　DDR3与DDR2的分别

　　1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V;

　　2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格;

　　3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个;

　　4、突发长度，由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bitBurst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式;

　　5、寻址时序(Timing)，DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟(CWD);

　　6、bit pre-fetch：DDR2为4bit pre-fetch,DDR3为8bit pre-fetch;

　　7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露SRT(Self-Reflash Temperature)可编程化温度控制储存器时钟频率功能，新增PASR(PartialArray Self-Refresh)局部Bank刷新的功能，可以说针对整个储存器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效;

　　8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提升系统数据总线的信噪等级;

　　9、点对点连接(point-to-point,p2p)，这是为了提升系统性能而进行的重要改动。

　　总体比较

　　DDR4展望