时间:2021-05-25
1.防呆缺口DDR内存单面金手指针脚数量为92个(双面184个),缺口左边为52个针脚,制品右边为40个针脚;
DDR2内存单面金手指120个(双面240个),缺口左边为64个针脚,缺口右边为56个针脚;
DDR3内存单面金手指也是120个(双面240个),缺口左边为72个针脚,缺口右边为48个针脚.
2、DDR内存的颗粒为长方形
DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一
3、使用电压不同
DDR2的电压1.8V
DDR3的电压1.5V
参数不同之处
电压 VDD/VDDQ
2.5V/2.5V
1.8V/1.8V(±0.1)
1.5V/1.5V(±0.075)
I/O接口
SSTL_25
SSTL_18
SSTL_15
数据传输率(Mbps)
200~400
400~800
800~2000
容量标准
64M~1G
256M~4G
512M~8G
Memory Latency(ns)
15~20
10~20
10~15
CL值
1.5/2/2.5/3
3/4/5/6
5/6/7/8
预取设计(Bit)
2
4
8
逻辑Bank数量
2/4
4/8
8/16
突发长度
2/4/8
4/8
8
封装
TSOP
FBGA
FBGA
引脚标准
184Pin
240Pin
240Pin
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插槽是不一样,DDR3比DDR2频率高,速度快,容量大,性能高。DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触
DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。
DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。
DDR3内存在达到高带宽的同时,其功耗反而可以降低,其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗,当然发
DDR2比,GDDR3的架构更接近于DDR2,也是由DDR2开发而来,作为显卡的专用显存。从速度上讲,GDDR3更接近于DDR2,与较新的DDR3有一定差距。且