时间:2021-05-18
DRAM与NAND的区别是:
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)。
2、NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
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NANDflash和NORflash的区别在于NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大
科赋内存不是杂牌,其原因是: 科赋内存是世界前三的内存颗粒厂家海力士旗下的子品牌,专注于消费端存储产品,专业DRAM/NAND记忆体解决方案,并提供OEM服务
dram和sram的区别是SRAM的读写速度非常快,但是在价格方面会非常昂贵,而DRAM保留数据的时间非常短,读写速度也比SRAM慢,不过它还是比任何ROM要快
我们介绍了3D-NAND闪存引入的背景,应该可以大致了解三星V-NAND结构的含义。本篇文章,我们就继续来详细的了解一下V-NAND的内容。先通过具体参数的
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